Caracterización del dañado eléctrico residual tras procesos de implantación iónica y RTA en Silicio y Fosfuro de Indio

Detalles Bibliográficos
Autor principal:	Pinacho Gómez, Ruth (-)
Formato:	Tesis
Idioma:	Castellano
Publicado:	Valladolid : Secretariado de Publicaciones e Intercambio Científico, Universidad 1999
Colección:	Tesis doctorales / Universidad de Valladolid
Materias:	Semiconductores. Termoelectricidad.
Ver en Universidad de Navarra:	https://unika.unav.edu/discovery/fulldisplay?docid=alma991007244139708016&context=L&vid=34UNAV_INST:VU1&search_scope=34UNAV_TODO&tab=34UNAV_TODO&lang=es

Descripción
Notas:	En port. : Facultad de Ciencias. Departamento de Electricidad y Electrónica
Descripción Física:	3 microfichas : negativo ; 11x15 cm + 1 carpetilla ( 6 p.)
ISBN:	9788477629351

Ejemplares similares