Estudio de dispositivos de potencia IGBT laterales y efecto de la temperatura sobre sus características eléctricas

Detalles Bibliográficos
Autor principal:	Vellvehí Hernández, Miquel (-)
Formato:	Tesis
Idioma:	Castellano
Publicado:	Bellaterra : Universitat Autònoma de Barcelona 1998
Edición:	Ed. microfotográfica
Colección:	Tesis doctorals de la Universitat Autònoma de Barcelona
Materias:	Universidad Autónoma de Barcelona (Bellaterra, España) > Tesis y disertaciones académicas Semiconductores > Propiedades eléctricas. Semiconductores > Propiedades térmicas.
Ver en Universidad de Navarra:	https://unika.unav.edu/discovery/fulldisplay?docid=alma991007124979708016&context=L&vid=34UNAV_INST:VU1&search_scope=34UNAV_TODO&tab=34UNAV_TODO&lang=es

Descripción
Notas:	Reducción alta
Descripción Física:	1 microficha 198 fotogramas ; 8 p, 11 x 15 cm + 1 folleto con resumen de la tesis
ISBN:	9788449011382

Ejemplares similares