Barbolla Sancho, J. Contribución al estudio de los centros profundos en dispositivos de potencia de silicio por técnicas termo-capacitivas. Universitat.
Cita Chicago Style (17a ed.)Barbolla Sancho, Juan. Contribución Al Estudio De Los Centros Profundos En Dispositivos De Potencia De Silicio Por Técnicas Termo-capacitivas. Valladolid: Universitat.
Cita MLA (9a ed.)Barbolla Sancho, Juan. Contribución Al Estudio De Los Centros Profundos En Dispositivos De Potencia De Silicio Por Técnicas Termo-capacitivas. Universitat.
Precaución: Estas citas no son 100% exactas.
