Contribución al estudio de los centros profundos en dispositivos de potencia de silicio por técnicas termo-capacitivas
| Autor principal: | |
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| Autor Corporativo: | |
| Formato: | Tesis |
| Idioma: | Castellano |
| Publicado: |
Valladolid :
Universitat
[s.a.]
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| Materias: | |
| Ver en Universidad de Navarra: | https://unika.unav.edu/discovery/fulldisplay?docid=alma991002866419708016&context=L&vid=34UNAV_INST:VU1&search_scope=34UNAV_TODO&tab=34UNAV_TODO&lang=es |
| Descripción Física: | VII, 119 f. : il. ; 28 cm |
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| Bibliografía: | Incluye referencias bibliográficas |
