Realización y estudio de un transistor de efecto de campo con canal vertical destinado a las aplicaciones de potencia

Detalles Bibliográficos
Autor principal:	Morenza Gil, José Luis (-)
Autor Corporativo:	Universitat de Barcelona Facultat de Física (-)
Otros Autores:	Esteve, Daniel, dir (Conductor)
Formato:	Tesis
Idioma:	Castellano
Publicado:	Barcelona : Universidad de Barcelona. Facultad de Física 1975
Materias:	Transistors de junció Tesis i dissertacions acadèmiques
Ver en Universidad de Navarra:	https://unika.unav.edu/discovery/fulldisplay?docid=alma991009176619708016&context=L&vid=34UNAV_INST:VU1&search_scope=34UNAV_TODO&tab=34UNAV_TODO&lang=es

Descripción
Descripción Física:	150 f. : gràf., quadres
Bibliografía:	Bibliografia

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