Transistor- und Leitungsmodellierung zum Entwurf von monolithisch integrierten Leistungsverstärkern für den hohen Millimeterwellen-Frequenzbereich

The aim of this work is the design of monolithic integrated power amplifiers for frequencies from 200 to 250 GHz and beyond. For this, reliable and flexible transmission line and transistor models are required. The models are created and their accuracy is verified up to 325 GHz. An innovative couple...

Descripción completa

Detalles Bibliográficos
Otros Autores: Diebold, Sebastian (auth)
Formato: Libro electrónico
Idioma:Alemán
Publicado: KIT Scientific Publishing 2013
Colección:Karlsruher Forschungsberichte aus dem Institut für Hochfrequenztechnik und Elektronik
Materias:
Ver en Biblioteca Universitat Ramon Llull:https://discovery.url.edu/permalink/34CSUC_URL/1im36ta/alma991009437724606719

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