Dispositivos electronicos Tomo II Tomo II /
Autor principal: | |
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Autor Corporativo: | |
Otros Autores: | |
Formato: | Libro electrónico |
Idioma: | Castellano |
Publicado: |
Mexico D. F. :
Instituto Politecnico Nacional
2001.
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Edición: | 3a. ed |
Materias: | |
Ver en Biblioteca Universitat Ramon Llull: | https://discovery.url.edu/permalink/34CSUC_URL/1im36ta/alma991009431519706719 |
Tabla de Contenidos:
- DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS. TOMO II; PÁGINA LEGAL; PROLOGO; CONTENIDO; RECONOCIMIENTOS; AGRADECIMIENTOS:; CAPÍTULO 6; CAPÍTULO 7; CAPÍTULO 8; CAPÍTULO 9; CAPÍTULO 10; CAPÍTULO 11; APÉNDICES; BIBLIOGRAFÍA DE LOS APÉNDICES; ÍNDICE TEMÁTICO; TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO.; TRANSISTOR MONOUNION (UJT); DISPOSITIVOS DE CUATRO O MÁS CAPAS; DISPOSITIVOS OPTO ELECTRÓNICOS DE ESTADO SÓLIDO; EMISIÓN ELECTRÓNICA EN METALES.; EJEMPLOS; PREGUNTAS; PROBLEMAS; BIBLIOGRAFÍA; DISPOSITIVOS AL VACIO; Apéndice A; Apéndice B; Apéndice C; Apéndice D; Apéndice E; Apéndice F; Apéndice G; Apéndice H; Apéndice I
- Apéndice JApéndice K; INTRODUCCIÓN; EJEMPLOS; PREGUNTAS; PROBLEMAS; BIBLIOGRAFÍA; INTRODUCCIÓN; EJEMPLOS; PREGUNTAS; PROBLEMAS; BIBLIOGRAFÍA; INTRODUCCIÓN; EJEMPLOS; PREGUNTAS; PROBLEMAS; BIBLIOGRAFÍA; INTRODUCCIÓN; EJEMPLOS; PREGUNTAS; PROBLEMAS; BIBLIOGRAFÍA; Figura 10.1. Ilustración del efecto Edison.; Figura 10.2. Los cuatro métodos más comunes de emitir electrones de un metal.; 10.1. EMISIÓN TERMOIÓNICA; 10.2. EMISIÓN POR CAMPO; 10.3. EMISIÓN SECUNDARIA; 10.4. FOTO EMISIÓN; Ejemplo 10.1; Ejemplo 10.2.; Ejemplo 10.3.; Ejemplo 10.5.; Ejemplo 10.7.; Ejemplo 10.8.; Ejemplo 10.9.
- Ejemplo 10.10.Ejemplo 10.11.; Ejemplo 10.12.; Ejemplo 10.13.; INTRODUCCIÓN; EJEMPLOS; PREGUNTAS; PROBLEMAS; BIBLIOGRAFÍA; MÉTODO DE WKB PARA DETERMINAR LA TRANSPARENCIA DE LAS BARRERAS DE POTENCIAL; CONSTANTES FÍSICAS; CUADRIPOLOS; PROPIEDADES DE LOS SEMICONDUCTORES; PROPIEDADES DEL Ge, Si y GaAs &T= 300° K; PROPIEDADES DEL Ge, Si y GaAs a T= 300°K (cont. . .); TABLA DE CONVERSIÓN DE FACTORES; CURVA NORMALIZADA DE LA FUNCIÓN ERROR COMPLEMENTARIA Y LA DISTRIBUCIÓN GAUSSIANA; PRINCIPALES DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DISCRETOS; CALCULO DE DISIPADORES EN FUNCIÓN DEL ÁREA DE LAS PLACAS DE ALUMINIO
- TEOREMAS DE CIRCUITOSDISIPADORES; 6 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (FET); Ejemplo 6.3.; Ejemplo 6.4.; Ejemplo 6.5.; Ejemplo 6.6.; Ejemplo 6.10.; Ejemplo 6.11.; Ejemplo 6.12.; Ejemplo 6.13.; Ejemplo 6.15.; 6.1; 6.2; 6.3; 6.4; 6.5; 6.6; 6.7; 6.8; 6.9; 6.10; 6.11; 6.12; 6.13; 6.14; 6.15; 6.16; 6.17; 6.18; 6.19; 6.20; 6.21; 7.1. CONSTRUCCIÓN DEL TRANSISTOR; 7.2. TEORÍA DE OPERACIÓN; 7.3. SÍMBOLO; 7.4. CARACTERÍSTICAS Y LIMITACIONES; Ejemplo 7.2.; Ejemplo 7.3.; Ejemplo 7.4.; Ejemplo 7.5.; Ejemplo 7.7.; 7.1; 7.2; 7.3; 7.4; 7.5; 7.6; 7.7; 7.8; 7.11; 7.12
- 8.1. ANALOGÍA CON DOS TRANSISTORES DE UN DISPOSITIVO DE CUATRO CAPAS8.2. DIODO CONTROLADO DE SILICIO (SCR); 8.3. TRIAC; 8.4. DIAC; 8.5. DIODO INTERRUPTOR BILATERAL (DIB); 8.6. INTERRUPTORES DE SILICIO UNILATERALES Y BILATERALES (SUS, SBS); 8.7. INTERRUPTOR CONTROLADO POR COMPUERTA (GTO); Ejemplo 8.3.; Ejemplo 8.4.; Ejemplo 8.5.; Fig. P.8.2 Circuito más simple de un control de potencia por medio de un SCR.; Fig. P.8.3 Oscilador de relajación usando el SCR como diodo de cuatro capas.; 8.4; 8.5; 8.6; 8.8; 8.10; 9.1. CELDAS FOTOCONDUCTORAS (FOTORESISTIVAS); 9.2. FOTODIODO
- 9.3. DIODOS EMISORES DE LUZ (LED)